SiC単結晶インゴット　4H-半絶縁

半絶縁型炭化ケイ素（SiC）インゴット
直径： 8インチ(200.0 ± 0.2) mm、6インチ(150.0 ± 0.25) mm、4インチ(100.0 ± 0.25) mm
厚み： 5 ～ 20 mm
導電型： 半絶縁型
ドーパント：なし
結晶方位： (0001) 面
製品タイプ： 単結晶インゴット
ポリタイプ：4H
グレード：プロダクション、ダミー