４インチ SiC単結晶ポリッシュドウェハー（Epi-ready）　4H-N

４インチ導電型 4H-SiC 基板
直径： (100.0 ± 0.2) mm
標準厚： (350 ± 25) μm、その他
導電型： N型
ドーパント：窒素
結晶方位： (0001) 面、[11-20] 方向に 4° オフ
用途： SiC ホモエピタキシャル成長用
製品タイプ： ポリッシュドウェハー（Epi-ready）
ポリタイプ：4H
グレード：プロダクション、ダミー
パッケージ：枚葉ケース、またはカセット