半絶縁型 4H-SiC 基板
直径：8インチ (200.0 ± 0.2) mm、 6インチ(150.0 ± 0.2) mm、4インチ (100.0 +0.0 / -0.5) mm
標準厚： (500.0 ± 25.0) μm、その他
導電型： 半絶縁型
ドーパント：なし
結晶方位： (0001) 面 0±0.2°
主な用途： GaN などのヘテロエピタキシャル成長用
製品タイプ： ポリッシュドウエハー（Epi-ready）
ポリタイプ：4H
グレード：プロダクション、ダミー
パッケージ：枚葉ケース、またはカセット