HOME商品紹介 SiC種結晶 直径：200 mm または 153 mm 標準厚：500 μm または 1.0 mm 導… ８インチ SiC単結晶インゴット 4H-N ８インチ導電型炭化ケイ素（SiC）インゴット 直径： (200.0 ± 0… ウェハー受託加工 厚み調整（バックグラインド）や膜形成（酸化膜・メタル膜）、… ４インチ SiC単結晶インゴット 4H-N ４インチ導電型炭化ケイ素（SiC）インゴット 直径： (100 ± 0.2… SiC単結晶インゴット 4H-半絶縁 半絶縁型炭化ケイ素（SiC）インゴット 直径： 8インチ(200.0 ± … ６インチ SiC単結晶インゴット 4H-N 6インチ導電型炭化ケイ素（SiC）インゴット 直径： (150 ± 0.25… ６インチSiC単結晶ポリッシュドウェハー（Epi-ready） 4H-N ６インチ導電型 4H-SiC 基板 直径： (150.0 ± 0.2) mm 標準厚：… ４インチ SiC単結晶ポリッシュドウェハー（Epi-ready） 4H-N ４インチ導電型 4H-SiC 基板 直径： (100.0 ± 0.2) mm 標準厚：… SiC単結晶ポリッシュドウェハー（Epi-ready） 4H-半絶縁 半絶縁型 4H-SiC 基板 直径：8インチ (200.0 ± 0.2) mm、 6イン… ８インチ SiC単結晶ポリッシュドウェハー（Epi-ready） 4H-N 8インチ導電型 4H-SiC 基板 直径： (200.0 ± 0.2) mm 標準厚： …
