SiCウェハは「欲しい仕様」が少しでも曖昧だと、見積の前に確認事項が増えて時間が伸びがちです。
この記事では、購買担当・装置評価担当の方が最短で見積を取るための“書き方（RFQ）”を、コピペテンプレ付きでまとめます。
【最短で見積】
以下をそのまま貼って、空欄だけ埋めてください。未定は「未定」でOKです。
▼見積テンプレ（コピペ用）
・希望品：SiCウェハ（ベア基板）／SiCウェハ 高純度半絶縁（HPSI）（ベア基板）／SiCエピウェハ／SiCインゴット／SiC種結晶
・用途：装置評価／研究開発 ※自由記載
・ポリタイプ：4H
※６Hもご案内可能です。
・口径：4 ／6／ 8／ 12 インチ
・タイプ：n型／高純度半絶縁（HPSI）
・オフ角：4° off-axis／On-axis
・厚み：350µm／500μm／その他
・表面仕上げ：両面CMP
・グレード：ダミーグレード／プロダクショングレード
・欠陥：MPD （希望あれば： cm^-2 以下）
・数量： 枚
・梱包形態：シングルケース／カセット
・希望納期： （例：〇月〇日まで）
アズスライス品および粗研磨品の供給も可能でございます。
また、ご要望に応じた形状加工やダイシング、成膜の受託加工にも対応しております。
「SiCウェハ販売」でよく指定される仕様（素人目線で要点だけ）
1) 4Hが標準、6Hは少量・研究用途で相談が多い
市場流通とデバイス用途では4Hが中心です。
6Hは比較用途・条件出し用途で指定されることがありますが、調達性は4Hより落ちやすい傾向があります。
迷う場合は、まず4Hで見積を取るのが最短です。
2) n型か、高純度半絶縁（HPSI）か
n型：導電性が必要な用途（パワーデバイス評価など）で指定されやすい
半絶縁（Semi-Insulating / HPSI）：RF用途など、基板自体の導通を避けたい用途で指定されやすい
抵抗率の表現例として「≥1×10^6 Ω·cm」などが公開カタログで見られます。
3) “オフ角4°” は、n型の標準仕様
特に4H-Nでは「4.0° off-axis（例：toward <11-20>）」のように、商品仕様として明示されている例があります。
未指定だと確認が発生しやすいので、迷ったら「一般的な仕様（例：4°オフ角）で」など一言あると前に進みます。
4) MPD（Micropipe Density）は、品質と価格の会話を最短にする
MPD（マイクロパイプ密度）はSiCウェハの代表的な欠陥指標の一つで、一般に小さいほど歩留まりに有利です。
当社のSiCウェハ供給範囲
・販売形態：小ロット（サンプル／研究用）中心。メーカー直輸入で量産対応も可
・ポリタイプ：4H中心、6Hは少量相談可
・口径：4 / 6 / 8 / 12 インチ
・タイプ：n型／高純度半絶縁（HPSI）
他に、光学グレードSiCウェハ、SiCエピウェハ、SiCインゴット、SiC種結晶も供給可能です。
・強み：在庫即納／検査成績書（CoA）／手頃な価格／カスタム特注対応
▼見積テンプレ（コピペ用）
・希望品：SiCウェハ（ベア基板）／SiCウェハ 高純度半絶縁（HPSI）（ベア基板）／SiCエピウェハ／SiCインゴット／SiC種結晶
・用途：装置評価／研究開発 ※自由記載
・ポリタイプ：4H
※６Hもご案内可能です。
・口径：4 ／6／ 8／ 12 インチ
・タイプ：n型／高純度半絶縁（HPSI）
・オフ角：4° off-axis／On-axis
・厚み：350µm／500μm／その他
・表面仕上げ：両面CMP
・グレード：ダミーグレード／プロダクショングレード
・欠陥：MPD （希望あれば： cm^-2 以下）
・数量： 枚
・梱包形態：シングルケース／カセット
・希望納期： （例：〇月〇日まで）
それでは、ご連絡をお待ちしております。