８インチ SiC単結晶インゴット　4H-N

８インチ導電型炭化ケイ素（SiC）インゴット
直径： (200.0 ± 0.2) mm
厚み： 1 ～ 50 mm
導電型： N型
結晶方位： (0001) 面、[11-20] 方向に 4° オフ
製品タイプ： 単結晶インゴット
ポリタイプ：4H
グレード：プロダクション、ダミー